报告题目：石墨烯-氮化硼面内异质结构的可控制备和界面类型识别
报告人：张艳锋 研究员 北京大学
时 间： 2016年1月 15日（周五） 下午15:00
地 点：南岭校区机械材料馆 209会议室
举办单位：437ccm必赢国际材料学院汽车材料教育部重点实验室
摘要：
制备石墨烯和氮化硼的面内异质结构是一种打开石墨烯带隙的有效途径。然而，对于利用化学气相沉积(CVD)法在多晶金属基底上制备的材料，很多基本科学问题的探索由于受到表征手段的限制因而难以得到确切的结论。我们利用UHV-MBE-STM的联合系统，采用两步生长的方法，在Rh(111)单晶表面构筑了六方氮化硼-石墨烯(h-BN-G)单层面内异质结构，利用高分辨STM观察到了以zigzag型为主的边缘类型(Nano Lett 13, 3439 (2013))。为了深入研究界面的电子结构，我们在具有相对弱相互作用的Ir(111)表面，制备了类悬浮的面内异质结构，获得了其拼接界面电子态的变化趋势(Nano Lett. 14, 6342 (2014))。最近，我们通过特殊前躯体的选择和利用由生长温度触发的化学反应，实现了层间和面内异质结构的可控选择性生长（Nat. Commun. 6, 6835 (2015) )。这些结果将为石墨烯和氮化硼异质结构的可控制备和新奇物性探索提供重要的实验依据。
报告人简历(300字以内)
张艳锋，2005年7月于中科院物理所凝聚态物理专业获博士学位。2006年10月至2009年09月在日本东北大学多元物质科学研究所做博士后研究，其间获得日本学术振兴会(JSPS）外国人特别研究员项目的资助。2010年4月受聘北京大学优秀青年人才计划（“百人计划”）研究员，加入北京大学工学院材料科学与工程系。目前主要从事二维层状材料（石墨烯、单原子层硫属化合物及其异质结构等）的可控制备、精密表征、量子效应以及其诱导的新奇物理化学特性的研究。在Science, Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Nano Lett., Chem. Soc. Rev., J. Am. Chem. Soc.等杂志共发表学术论文90余篇。获得了2005年度中国科学院杰出科技成就奖“薄膜/纳米结构的控制生长和量子操纵”集体(完成人之一),2007年全国百篇优秀博士论文等奖励。2012年获得国家优秀青年科学基金的资助。
